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硅晶片測(cè)溫用輻射溫度計(jì)IS12-Si產(chǎn)品介紹

發(fā)布時(shí)間:2022-07-04 點(diǎn)擊量:845

硅晶片測(cè)溫用輻射溫度計(jì)IS12-Si產(chǎn)品介紹

IS12Si 是用于硅晶片的全數(shù)字輻射溫度計(jì)。
最快8毫秒的高速響應(yīng)和短波長(zhǎng)檢測(cè),可以高精度測(cè)量硅晶片的溫度。

用途

  • 專(zhuān)為硅晶片設(shè)計(jì)的輻射溫度計(jì)。

特征

  • 1.硅片專(zhuān)用輻射測(cè)溫儀

  • 2.由于它具有高速響應(yīng)能力(最大速度為 10 毫秒),因此適用于溫度變化劇烈的樣品和高速移動(dòng)的樣品的溫度測(cè)量。響應(yīng)速度可設(shè)置為 10s。由于實(shí)現(xiàn)了小點(diǎn)測(cè)量,即使是小樣本也可以測(cè)量。

  • 3.配備 6 種定焦鏡頭和 3 種可動(dòng)對(duì)焦鏡頭,可進(jìn)行準(zhǔn)確的溫度測(cè)量。

  • 4.全數(shù)字電路,可實(shí)現(xiàn)高精度和穩(wěn)定的無(wú)縮放溫度范圍。

  • 5.由于內(nèi)置最大值保持電路,因此也適用于移動(dòng)物體的測(cè)量。

  • 6.您可以在固定焦距鏡頭和可移動(dòng)焦距鏡頭之間進(jìn)行選擇。

  • 7.可以使用標(biāo)配的專(zhuān)用測(cè)量軟件(Windows)記錄數(shù)據(jù)并設(shè)置參數(shù)。

  • 8.取景器中的焦點(diǎn)可讓您準(zhǔn)確了解被測(cè)物體的位置。此外,還可以選配用于更精確定位的激光指示燈。

規(guī)格

溫度范圍400-1300℃、400-900℃、350-1000℃、500-1800℃
檢測(cè)波長(zhǎng)近紅外的窄波長(zhǎng)范圍(選擇硅片溫度測(cè)量的最佳波長(zhǎng))
  • 該接口可以通過(guò)總線(xiàn)連接在RS232和RS485之間切換。



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